wdzb-ia-djyp2yp1-12*2*1.5無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套分屏總屏本安電纜。
本安計算機用屏蔽電纜或稱本安dcs系統(tǒng)用電纜適用于石油、化工、電力、煤氣工程、礦山等場合以及其它防爆安全要求較高的場合，傳輸自動控制信號。該電纜具有低電容、低電感集散型儀表信號電纜，簡稱本安dcs系統(tǒng)用電纜，具有優(yōu)異的屏蔽性能和抗干擾性能，因此防爆安全性能明顯高于一般dcs系統(tǒng)電纜和計算機控制電纜。
執(zhí)行標準：企業(yè)標準
使用特點：
1、交流額定電壓u0/u：300/500v
2、電纜導體長期允許zui高工作溫度：聚氯乙烯絕緣為70℃；交聯(lián)聚乙烯絕緣為90℃；無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣為70℃。
3、zui低環(huán)境溫度：固定敷設-40℃；非固定敷設-15℃；安裝敷設時環(huán)境溫度：不低于0℃。
4、電纜允許彎曲半徑：非鎧裝、編織屏蔽電纜不小于電纜外徑的6倍；銅帶屏蔽、鎧裝電纜不小于電纜外徑的12倍。
電纜型號、名稱：
型號 | 名稱 |
ia-djypvp | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型dcs電纜 |
ia-djypvpr | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型dcs軟電纜 |
ia-djyp3vp3 | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs電纜 |
ia-djyp3vp3r | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs軟電纜 |
ia-djyp2vp2 | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs電纜 |
ia-djyp2vp2r | 聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs軟電纜 |
ia-djyjpvp | 交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型dcs電纜 |
ia-djyjpvpr | 交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅線編織分屏總屏本安型dcs軟電纜 |
ia-djyjp3vp3 | 交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs電纜 |
ia-djyjp3vp3r | 交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs軟電纜 |
ia-djyjp2vp2 | 交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs電纜 |
ia-djyjp2vp2r | 交聯(lián)聚乙烯絕緣聚氯乙烯護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs軟電纜 |
wdz-ia-djypvp | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安dcs電纜 |
wdz-ia-djypvpr | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅線編織分屏總屏本安型dcs軟電纜 |
wdz-ia-djyp3vp3 | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs電纜 |
wdz-ia-djyp3vp3r | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套鋁塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs軟電纜 |
wdz-ia-djyp2vp2 | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs電纜 |
wdz-ia-djyp2vp2r | 無鹵低煙阻燃聚烯烴絕緣及護套銅塑復合帶繞包分屏總屏本安型dcs軟電纜 |
規(guī)格范圍：
對數(shù)：1-24對
每對芯數(shù)：二芯稱二線組，三芯稱三線組
導體截面：0.5、0.75、1.0、1.5、2.5
技術參數(shù) ：
1、20℃導體直流電阻及導體結構
標稱截面mm2 | 導體結構根數(shù)/單絲直徑mm | 20℃直流電阻≤ω/km | |||
a類 | b類 | r類 | a、b類 | r類 | |
0.5 | 1/0.8 | 7/0.3 | 16/0.2 | ≤36.0 | ≤39.0 |
0. 75 | 1/0.97 | 7/0.37 | 24/0.2 | ≤24.5 | ≤26.0 |
1.0 | 1/1.13 | 7/0.43 | 32/0.2 | ≤18.1 | ≤19.5 |
1.5 | 1/1.38 | 7/0.52 | 30/0.25 | ≤12.1 | ≤13.3 |
2.5 | 1/1.78 | 7/0.68 | 49/0.25 | ≤7.41 | ≤7.98 |
2、20℃絕緣電阻
性能項目 | pvc絕緣 | pe、xlpe絕緣 |
20℃時絕緣電阻mω.km | ***25 | ***500 |
3、電纜應經(jīng)受工頻交流電壓試驗：2000v/1min絕緣不發(fā)生擊穿，試驗溫度為環(huán)境溫度。
4、工作電容1khz：線芯與線芯≤90pf/m
5、分布電容1khz≤0.6μh/m
6、電磁干擾感應電壓干擾磁場400a/m≤5mv
7、靜電感應電壓靜電電壓20kv＜1v
8、輻射場透入強度干擾場強120dbμv，干擾場頻率200mhz≤dbμv
