在真空環(huán)境產(chǎn)生等離子體的原因很多,主要有以下兩個原因:
引入真空室的氣體在壓力環(huán)境下不會電離,在充入氣體電離產(chǎn)生等離子體之前bi須達到真空環(huán)境。另外，真空環(huán)境允許我們控制真空室中氣體種類，這對等離子處理體過程的可重復性是至關重要的。
要進行等離子處理產(chǎn)品,首先我們要產(chǎn)生等離子體。首先，單一氣體或者混合氣體被引入密封的低壓真空等離子體室。隨后這些氣體被兩個電極板之間產(chǎn)生的射頻(RF) 激活，這些氣體中被激活的離子加速，開始震動。這種振動“用力擦洗”需要清洗材料表面的污染物。
在處理過程中,等離子體中被激活的分子和原子會發(fā)出紫外光，從而產(chǎn)生等離子體輝光。溫度控制系統(tǒng)常用于控制刻蝕速率。60 - 9d攝氏度溫度之間刻蝕，是室溫刻蝕速度的四倍。對溫度敏感的部件或組件,等離子體蝕刻溫度可以控制在15攝氏度。我們所有的溫度控制系統(tǒng)已經(jīng)預編程并集成到等離子體系統(tǒng)的軟件中間。設置保存每個等離子處理的程序能輕松復制處理過程。
可以通過向等離子體室中引入不同氣體，改變處理過程。常用的等離子處理.氣體包括02、N2,Ar,H2 和CF4。大多數(shù)實驗室，基本上都使用這五種氣體單獨或者混合使用進行等離子體處理。
等離子體處理過程通常需要大約兩到十分鐘。當?shù)入x子體處理過程完成時,真空泵去除等離子室中的污染物，室里面的材料是清潔,消過毒的,可以進行粘接或下一步程序。
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