主營產(chǎn)品,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),充足庫存:
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CY7C1041G和CY7C1041GE是由Cypress推出的帶嵌入式ECC(糾錯(cuò)碼)的高性能CMOS快速靜態(tài)RAM器件。這兩種器件均支持單、雙芯片使能選項(xiàng),以及多種引腳配置。CY7C1041GE器件具有一個(gè)ERR引腳,用于通知讀周期中的錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正事件。通過將芯片使能(CE)、寫入使能輸入(WE)設(shè)置為低電平,并分別在器件數(shù)據(jù)引腳(I/O0 至I/O15)、地址引腳(A0 到A17)提供數(shù)據(jù)及地址,即可執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入操作。
據(jù)世強(qiáng)市場(chǎng)經(jīng)理吳大忠介紹,該產(chǎn)品通過控制字節(jié)高電平使能(BHE)和字節(jié)低電平使能(BLE)的輸入,來進(jìn)行高字節(jié)、低字節(jié)寫入指定存儲(chǔ)器位置的操作。BHE 控制I/O8 至I/O15腳;BLE控制I/O0 至I/O7腳。通過設(shè)置芯片使能(CE)及輸出使能(OE)輸入為低電平,并提供地址上行所需的地址,便能執(zhí)行讀取操作,在I/O 線上(I/O0 至I/O15)讀取數(shù)據(jù)。通過設(shè)置所需的字節(jié)使能信號(hào)(BHE或BLE),可以執(zhí)行字節(jié)訪問,即讀取指定地址上高字節(jié)或低字節(jié)數(shù)據(jù)。
CY7C1041G/CY7C1041GE的特性:
-高速:tAA = 10 ns
-用于單比特錯(cuò)誤糾正的嵌入式糾錯(cuò)碼(ECC)
-活動(dòng)模式和待機(jī)模式只需低電流
有效電流ICC = 38 mA (典型值)
待機(jī)電流ISB2 = 6 mA (典型值)
-工作電壓范圍:1.65 V至2.2 V,2.2 V至3.6 V,4.5 V至5.5 V
-1.0 V 數(shù)據(jù)保持
-TTL — 各兼容輸入與輸出
-錯(cuò)誤指示(ERR)引腳用于表示單位錯(cuò)誤的檢測(cè)及糾正
-無鉛44引腳SOJ、44引腳TSOP II和48球形焊盤VFBGA封裝