6ES7 214-2AD23-0XB0 |
6ES7 214-2BD23-0XB0 |
6ES7 214-2AS23-0XB0 |
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電源電壓 |
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額定值 |
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√ |
√ |
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20.4 V |
20.4 V |
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28.8 V |
28.8 V |
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√ |
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√ |
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85 V |
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264 V |
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47 Hz |
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63 Hz |
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負載電壓 L+ |
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24 V |
24 V |
24 V |
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20.4 V |
5 V |
20.4 V |
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28.8 V |
30 V |
28.8 V |
負載電壓L1 |
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100 V;100 - 230 VAC |
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5 V |
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250 V |
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47 Hz |
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|
63 Hz |
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電流消耗 |
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突波電流,最大 |
28.8 V 時 12 A |
264 V 時 20 A |
28.8 V 時 12 A |
從電源L+ 供電,最大 |
900 mA; 120 - 900 mA,擴展模塊輸出電流(5 VDC) 660 mA |
900 mA; 120 - 900 mA,擴展模塊輸出電流(5 VDC) 660 mA |
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從電源L1供電,最大 |
220 mA; 35 - 100 mA (240 V); 70 - 220 mA (120 V); 擴展模塊輸出電流 (5 VDC) 600 mA |
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后備電池 |
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電池選件 |
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100 小時;(40 ℃ 時,最短 70 小時);帶有可選電池模塊時,200 天(典型值) |
100 小時;(40 ℃ 時,最短 70 小時);帶有可選電池模塊時,200 天(典型值) |
100 小時;(40 ℃ 時,最短 70 小時);帶有可選電池模塊時,200 天(典型值) |
存儲器 |
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存儲類型 |
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存儲模塊數量(選件) |
1,可插入存儲模塊,內容存儲在內置的EEPROM中,此外還可以存儲配方、數據記錄和其他文件。 |
1,可插入存儲模塊,內容存儲在內置的EEPROM中,此外還可以存儲配方、數據記錄和其他文件。 |
1,可插入存儲模塊,內容存儲在內置的EEPROM中,此外還可以存儲配方、數據記錄和其他文件。 |
數據和程序存儲器 |
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10 KB |
10 KB |
10 KB |
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16 Kibyte;12 KB,有源運行時編輯 |
16 Kibyte;12 KB,有源運行時編輯 |
16 Kibyte;12 KB,有源運行時編輯 |
后備 |
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√;程序:集成 EEPROM 上的整個程序免維護,可通過 CPU 編程;數據:集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個 DB 1 免維護,RAM 中 DB 1 的電流值,通過高性能電容器,非易失性內存位、計時器、計數器等免維護;可選電池,用于長期緩沖 |
√;程序:集成 EEPROM 上的整個程序免維護,可通過 CPU 編程;數據:集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個 DB 1 免維護,RAM 中 DB 1 的電流值,通過高性能電容器,非易失性內存位、計時器、計數器等免維護;可選電池,用于長期緩沖 |
√;程序:集成 EEPROM 上的整個程序免維護,可通過 CPU 編程;數據:集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個 DB 1 免維護,RAM 中 DB 1 的電流值,通過高性能電容器,非易失性內存位、計時器、計數器等免維護;可選電池,用于長期緩沖 |
CPU/處理時間 |
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位指令,最大 |
0.22 µs |
0.22 µs |
0.22 µs |
定時器/計數器及其保持性 |
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S7 計數器 |
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256 |
256 |
256 |
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可以;通過高能電容或電池 |
可以;通過高能電容或電池 |
可以;通過高能電容或電池 |
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1 |
1 |
1 |
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256 |
256 |
256 |
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0 |
0 |
0 |
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32 767 |
32 767 |
32 767 |
S7 定時器 |
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256 |
256 |
256 |
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可以;通過高能電容或電池 |
可以;通過高能電容或電池 |
可以;通過高能電容或電池 |
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64 |
64 |
64 |
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1 ms |
1 ms |
1 ms |
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54 分鐘;4 個定時器:1 ms 至 30 s;16 個定時器:10 ms 至 5 分鐘;236 個定時器:100 ms 至 54 分鐘 |
54 分鐘;4 個定時器:1 ms 至 30 s;16 個定 |