光學(xué)鍍膜是指在光學(xué)零件表面上鍍上一層(或多層)金屬(或介質(zhì))薄膜的工藝過程. 在光學(xué)零件表面鍍膜的目的是為了達到減少或增加光的反射/ 分束/ 分色/ 濾光/ 偏振等要求. 常用的鍍膜法有真空鍍膜(物理鍍膜的一種)和化學(xué)鍍膜.
光學(xué)薄膜技術(shù)的普遍方法是借助真空濺射的方式在玻璃基板上涂鍍薄膜, 一般用來控制基板對入射光束的反射率和透過率, 以滿足不同的需要. 為了消除光學(xué)零件表面的反射損失, 提高成像質(zhì)量, 涂鍍一層或多層透明介質(zhì)膜, 稱為增透膜或減反射膜. 隨著激光技術(shù)的發(fā)展, 對膜層的反射率和透過率有不同的要求, 促進了多層高反射膜和寬帶增透膜的發(fā)展. 為各種應(yīng)用需要, 利用高反射膜制造偏振反光膜/ 彩色分光膜/ 冷光膜和干涉濾光片等.
光學(xué)薄膜是改變光學(xué)零件表面特征而鍍在光學(xué)零件表面上的一層或多層膜. 可以是金屬膜/ 介質(zhì)膜或這兩類膜的組合. 光學(xué)薄膜是各種先進光電技術(shù)中不可缺少的一部分, 它不僅能改善系統(tǒng)性能, 而且是滿足設(shè)計目標的必要手段, 光學(xué)薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域設(shè)及光學(xué)系統(tǒng)的各個方面.它們在國民經(jīng)濟和國防建設(shè)中得到了廣泛的應(yīng)用, 獲得了科學(xué)技術(shù)工作者的日益重視.
光學(xué)鍍膜機適合鍍制多種光學(xué)膜. 如望遠鏡/ 眼鏡片/ 光學(xué)鏡頭/ 冷光杯等, 配置不同的蒸發(fā)源及膜厚儀, 可鍍制多種膜系, 對金屬/ 氧化物/ 化合物及其他高熔點膜材皆可蒸鍍, 并可在玻璃表面鍍超硬膜.
KRI 考夫曼霍爾離子源輔助光學(xué)鍍膜
在光學(xué)鍍膜中, 為了提高折射率（填充密度）/ 減少波長漂移/ 減少紅外波段的水氣吸收/ 增強了膜層的結(jié)合力/ 耐摩擦能力/ 機械強度/ 提高表面光潔度/ 控制膜層的應(yīng)力/ 減少膜層的吸收和散射/ 提高生產(chǎn)效率, 鍍膜廠商會把離子源用于光學(xué)鍍膜機上輔助光學(xué)鍍膜.
離子源類型雖多, 目的卻無非在線清洗, 改善被鍍表面能量分布和調(diào)制增加反應(yīng)氣體能量. 離子源可以大大改善膜與基體的結(jié)合強度, 同時膜本身的硬度與耐磨耐蝕特性也會改善.
某廠商為了提供鍍膜的質(zhì)量和提高生產(chǎn)效率, 需要在鍍膜機上搭配離子源, 通過溝通了解到客戶的要求及使用環(huán)境, 伯東工程師為客戶推薦KRI考夫曼霍爾離子源 EH1020 F, 并幫忙客戶把離子源安裝在1400 mm 蒸鍍鍍膜機, 應(yīng)用于塑料光學(xué)鍍膜.
伯東公司 KRI 考夫曼霍爾離子源光學(xué)蒸鍍鍍膜機應(yīng)用
美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計有效提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護. 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應(yīng)器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機等.
美國
KRI 霍爾離子源 eH
特性:
1.無柵極
2.高電流低能量
3.發(fā)散光束 >45
4.可快速更換陽極模塊
5.可選 Cathode / Neutralize 中和器
常見蒸鍍機臺與對應(yīng) KRI 霍爾離子源型號：
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蒸鍍機臺尺寸 |
KRI 離子源 |
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~1100mm |
eH1010 |
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1100~1400mm |
eH1010, eH1020 |
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1400~1900mm |
eH1020, eH3000 |
KRI 考夫曼霍爾離子源controller 自動化控制及聯(lián)機自動化設(shè)計, 提供使用者在操作上更是便利.
KRI 考夫曼霍爾離子源 Gun body 模塊化之設(shè)計/ 提供使用者在于基本保養(yǎng)中能夠降低成本及便利性.
伯東公司客戶 1400 mm 蒸鍍鍍膜機安裝 KRI考夫曼霍爾離子源 EH1020 F, 應(yīng)用于塑料光學(xué)鍍膜.
KRI 考夫曼霍爾離子源 EH1020 主要參數(shù):
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Filament Controller |
Discharge controller |
Gas controller |
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17.2A/ 22V |
150V/ 4.85A |
Ar/ 32sccm |
利用 KRI 考夫曼霍爾離子源輔助鍍膜及無離子源輔助鍍膜對鍍膜質(zhì)量之比較：
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KRI EH1020 輔助鍍膜 |
無 Ion Source 輔助鍍膜 |
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鹽水煮沸脫膜測試 |
優(yōu) |
劣 |
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破壞性百格脫膜測試 |
優(yōu) |
劣 |
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光學(xué)折射設(shè)率 |
高 |
低 |
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膜層致密性 |
優(yōu) |
劣 |
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膜層光學(xué)吸收率 |
無 |
有 |
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制程腔體加熱溫度 |
低 |
高 |
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生產(chǎn)成本 |
低 |
高 |
KRI 考夫曼霍爾離子源系列主要型號包含：
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離子源 eH200 |
離子源 eH400 |
離子源 eH1010 |
離子源 eH1020 |
離子源 eH3000 |
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Cathode |
Filament or Hollow cathode |
Filament or Hollow cathode |
Filament or Hollow cathode |
Filament or Hollow cathode |
Hollow cathode |
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Water Cooled Anode |
no |
no |
no |
yes |
no |
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Discharge Currentmax |
2 A |
3.5 (7) A |
10 (7) A |
10 (20) A |
20 (10) A |
|
Discharge Voltagemax |
300 V |
300 (150) V |
300 (150 ) V |
300 (150) V |
250 (300) V |
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Discharge Voltagemin |
40* V |
40* V |
40* V |
40* V |
40* V |
|
Divergence (hmhw) |
45° |
45° |
45° |
45° |
45° |
|
Height (nominal) |
2.0” |
3.0” |
4.0” |
4.0” |
6.0” |
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Diameter (nominal) |
2.5” |
3.7” |
5.7” |
5.7” |
9.7” |
KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列主要應(yīng)用
1.輔助鍍膜 IBAD
2.濺鍍&蒸鍍 PC
3.表面改性、激活 SM
4.沉積 (DD)
5.離子蝕刻 LIBE
6.光學(xué)鍍膜
7.Biased target ion beam sputter deb (BTIBSD)
8.Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)
例如
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍設(shè)備預(yù)清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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