在200mm晶圓時代, 介質(zhì)、多晶以及金屬刻蝕是刻蝕設(shè)備的三大塊. 進入300mm時代以后, 隨著銅互連的發(fā)展, 金屬刻蝕逐漸萎縮, 介質(zhì)刻蝕份額逐漸加大. 介質(zhì)刻蝕設(shè)備的份額已經(jīng)超過50%以上. 而且隨著器件互連層數(shù)增多, 介質(zhì)刻蝕設(shè)備使用量就越大.
為了適應(yīng)工藝發(fā)展需求, 各家設(shè)備廠商都推出了一系列的關(guān)鍵技術(shù)來滿足工藝需求. 主要有以下幾類:
1:雙區(qū)進氣+additional Gas: Additional Gas的目的是通過調(diào)節(jié)內(nèi)外區(qū)敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性, 結(jié)果比較明顯.
2:等離子體技術(shù): 等離子體密度和能量單獨控制
3:等離子體約束: 減少Particle, 提高結(jié)果重復(fù)性
4:工藝組件: 適應(yīng)不同工藝需求, 對應(yīng)不同的工藝組件, 比如不同的工藝使用不同的Focus Ring
5: Narrow Gap: 窄的Gap設(shè)計可以使得電子穿過殼層, 中和晶圓上多余的離子, 有利于提高刻蝕剖面陡直度.
6:反應(yīng)室結(jié)構(gòu)設(shè)計；由200mm時的側(cè)抽, 改為下抽或者側(cè)下抽. 有利于提高氣流均一性.
隨著工藝的發(fā)展需求, 離子源被逐漸用于刻蝕設(shè)備，上海伯東代理美國考夫曼 KRI 離子源, 其產(chǎn)品霍爾離子源 EH400 HC 成功應(yīng)用于離子蝕刻 IBE.
霍爾離子源離子抨擊能量強, 蝕刻效率快, 可因應(yīng)多種基材特性, 霍爾源單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 因此美國考夫曼霍爾離子源廣泛應(yīng)用于蝕刻制程及基板前處理制程.
霍爾離子源客戶案例一: 某大學(xué)天文學(xué)系小尺寸刻蝕設(shè)備
系統(tǒng)功能: 對于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多項材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蝕設(shè)備: 小型刻蝕設(shè)備. 選用上海伯東美國考夫曼品牌霍爾離子源 EH400 HC
霍爾離子源 EH400HC 安裝于刻蝕腔體內(nèi)
離子源 EH400HC 自動控制單元
霍爾離子源 EH400HC 通氬氣
對于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec
對于 FeSeTe 刻蝕應(yīng)用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 ?/Sec
霍爾離子源 EH400HC 特性:
1. 高離子濃度, 低離子能量
2. 離子束涵蓋面積廣
3. 鍍膜均勻性佳
4. 提高鍍膜品質(zhì)
5. 模塊化設(shè)計, 保養(yǎng)快速方便
6. 增加光學(xué)膜后折射率 (Optical index)
7. 全自動控制設(shè)計, 操作簡易
8. 低耗材成本, 安裝簡易
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