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KRI 射頻離子源 RFICP 380 和 分子泵組用于濺射沉積 Cu 薄膜

薄膜表面粗糙度與機械零件的配合性質、耐磨性、疲勞強度、接觸剛度、振動和噪聲等有重要關系, 直接決定機械產品的使用壽命和可靠性. 因此, 某薄膜制造商為了獲得優(yōu)質的 Cu 薄膜, 采用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 、霍爾離子源 eH 2000 和 分子泵組 Hicube 30 Eco 輔助濺射沉積 Cu 薄膜.

該制造商的鍍膜機設備采用雙離子束濺射沉積系統(tǒng), 該設備的本底真空為5x10^-5 Pa, 濺射氣體使用 Ar⁺ 粒子, 靶材成分為 99.99% Cu, 襯底為硅片.

其雙離子束濺射沉積系統(tǒng)工作示意圖如下：

其中雙離子源中的一個離子源適用于濺射靶材, 另個離子源是用于基材的預清洗.

用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380,

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數(shù)：

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

用于預清洗的離子源是采用伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 2000

伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 2000 技術參數(shù):

其濺射室需要沉積前本底真空抽到1×10-5Pa, 經推薦采用伯東分子泵組 Hicube 30 Eco, 其技術參數(shù)如下：

分子泵組 Hicube 30 Eco 技術參數(shù)

實際運行結果：

1. 雙離子束濺射制備的薄膜由于其他方法生長的薄膜, 薄膜的表面平整度、厚度均勻性更好
2. 絕對沉積角必須要避開 25°附件的位置, 這一位置的粗糙度太大, 生長出的薄膜表面的各方面性質遠低于其他位置

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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