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產(chǎn)品簡介
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應(yīng)用
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應(yīng)用
產(chǎn)品價格:
上架日期:2023-03-20 09:45:04
產(chǎn)地:美國
發(fā)貨地:上海
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1個
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詳細說明

    上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機中配置美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40, 進行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.

    離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD
    考夫曼離子源 KDC 40 中心到基片中心距離控制在 300mm, 離子源和基片都設(shè)計為高度可調(diào)節(jié), 客戶可根據(jù)不同的工藝要求選擇合適的角度. 離子源上面做可聯(lián)動控制的蓋板, 在離子源剛啟動時關(guān)閉蓋板, 待離子束流穩(wěn)定后打開蓋板, 對基片做預(yù)清潔和輔助鍍膜等工藝, 保證工藝的穩(wěn)定性和均勻性. 當(dāng)工藝完成后可以技術(shù)關(guān)閉蓋板, 保證離子源不被污染, 延長離子源使用壽命, 降低保養(yǎng)成本.
    考夫曼離子源輔助鍍膜

    KRi 離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean
    去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
    去除化學(xué)吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100?

    KRi 離子源輔助鍍膜 IBAD
    通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學(xué), 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化.
    通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計量完整材料.

    上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

    型號

    KDC 40

    供電

    DC magnetic confinement

     - 陰極燈絲

    1

     - 陽極電壓

    0-100V DC

    電子束

    OptiBeam?

     - 柵極

    專用, 自對準

     -柵極直徑

    4 cm

    中和器

    燈絲

    電源控制

    KSC 1202

    配置

    -

     - 陰極中和器

    Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

     - 架構(gòu)

    移動或快速法蘭

     - 高度

    6.75'

     - 直徑

    3.5'

     - 離子束

    聚集, 平行, 散射

     -加工材料

    金屬, 電介質(zhì), 半導(dǎo)體

     -工藝氣體

    惰性, 活性, 混合

     -安裝距離

    6-18”

     - 自動控制

    控制4種氣體

    * 可選: 可調(diào)角度的支架

    上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設(shè)計輸出低電流高能量寬束型離子束, 適用于標準和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設(shè)計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應(yīng)力控制, 光學(xué)傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側(cè)壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產(chǎn)生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

    考夫曼離子源
    上海伯東同時提供熱蒸鍍機所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)更高質(zhì)量的設(shè)備.

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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    上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
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