合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。
北京某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在對(duì)硬韌 ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號(hào) |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長(zhǎng)度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量
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試驗(yàn)中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助磁控濺射沉積的方法獲得均勻致密、大面積的 ZrAlN 薄膜, 更好的對(duì) ZrAlN 薄膜進(jìn)行研究.
KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
因此, 該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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