其清洗工藝是采用 KRI 考夫曼離子源 KDC 160轟擊處理基材表面, 以清洗基材, 工作示意圖如下:
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)：
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離子源型號 |
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Discharge |
DC 熱離子 |
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離子束流 |
>650 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
16 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
25.2 cm |
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直徑 |
23.2 cm |
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中和器 |
燈絲 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
其優(yōu)勢：
1. KRI 考夫曼離子源 KDC 160 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射. 適用于已知的所有離子源應(yīng)用.
2. 離子束流: >650 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: 燈絲, 流量 (Typical flow): 2-30 sccm.
3. 加熱燈絲產(chǎn)生電子, 增強(qiáng)設(shè)計輸出高質(zhì)量, 穩(wěn)定的電子流.
4. 離子源采用模塊化設(shè)計, 方便清潔/ 保養(yǎng)/ 維修/ 安裝.
5. 無需水冷, 降低安裝要求并排除腔體漏水的幾率, 雙陰極設(shè)計.
KRI 考夫曼離子源 KDC 160運行結(jié)果：
1. KRI 考夫曼離子源 KDC 160輔助制備的 AlCrN 涂層的 CrN 相的結(jié)晶度明顯提高
2.與傳統(tǒng)清洗技術(shù)相比, KRI 考夫曼離子源 KDC 160清洗有利于涂層以平面方式生長, 細(xì)化晶粒, 涂層硬度從HV0.1 3200 提高到 HV0.1 3600.
3. KRI 考夫曼離子源 KDC 160轟擊處理基材表面可提高膜基壓應(yīng)力, 抑制裂紋擴(kuò)展, 基膜結(jié)合強(qiáng)度提高了 10N
4. 利用KRI 考夫曼離子源 KDC 160清洗制備的 AlTISiN 涂層, 摩擦系數(shù)均在 0.2 左右, 具有良好的排屑能力
5. 刀具壽命提高了約3倍
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