因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體
伯東 KRI 霍爾離子源 eH 400 特性：
1.可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極
2.寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
3.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)
4.高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):
|
型號 |
eH 400 / eH 400 LEHO |
|
供電 |
DC magnetic confinement |
|
- 電壓 |
40-300 V VDC |
|
- 離子源直徑 |
~ 4 cm |
|
- 陽極結(jié)構(gòu) |
模塊化 |
|
電源控制 |
eHx-3005A |
|
配置 |
- |
|
- 陰極中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
|
- 離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
|
- 陽極 |
標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
|
- 水冷 |
前板水冷 |
|
- 底座 |
移動或快接法蘭 |
|
- 高度 |
3.0' |
|
- 直徑 |
3.7' |
|
- 加工材料 |
金屬 |
|
- 工藝氣體 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
|
- 安裝距離 |
6-30” |
|
- 自動控制 |
控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
1.離子輔助鍍膜 IAD
2.預(yù)清潔 Load lock preclean
3.In-situ preclean
4.Low-energy etching
5.III-V Semiconductors
6.Polymer Substrates
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅先生 臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
