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NPTB00025B射頻功率晶體管介紹
NPTB00025B 現(xiàn)貨NPTB00025B 中國代理NPTB00025B 原廠直供NPTB00025B 詢價熱線王先生MACOM是全球唯一的RF上的GaN-on-Si技術(shù)提供商。我們提供廣泛的連續(xù)波（CW）硅上GaN射頻功率放大器產(chǎn)品，這些器件是設(shè)計用于DC至6 GHz頻率范圍的分立器件和模塊。


產(chǎn)品型號：NPTB00025B
產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管


NPTB00025B 產(chǎn)品特性
針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優(yōu)化
散熱增強的行業(yè)標準包裝
100％射頻測試
具有高達32V的工作電壓
500-1000MHz的10W P3dB CW寬帶功率
25W P3dB CW窄帶功率
受EAR99出口管制
無鉛
高可靠性金金屬化工藝
符合RoHS
技術(shù)指標
電源電壓：28 V
PSAT：25 W
增益：13 dB
測試頻率：3 GHz
Theta J-C：5.3 C / W
最高頻率：4,000 MHz
最低頻率：0 MHz


NPTB00025B 產(chǎn)品詳情
MACOM是全球唯一的RF上的GaN-on-Si技術(shù)提供商。我們提供廣泛的連續(xù)波（CW）硅上GaN射頻功率放大器產(chǎn)品，這些器件是設(shè)計用于DC至6 GHz頻率范圍的分立器件和模塊。我們的高功率連續(xù)波和線性產(chǎn)品非常適合民用航空電子，通信，網(wǎng)絡(luò)，長脈沖以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過60年的傳統(tǒng)，即使用GaN-on-Si技術(shù)提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產(chǎn)品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成放大器，在寬工作帶寬內(nèi)在功率，增益，增益平坦度，效率和耐用性方面均表現(xiàn)出出色的RF性能。


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