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供應：三菱IGBT模塊 第五代A系列
采用CSTBTTM硅片技術飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊內(nèi)部寄生電感小功率循環(huán)能力顯著改善
CM400HA-24A
CM600HA-24A
CM600HB-24A
CM100DY-24A
CM150DY-24A
CM200DY-24A
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CM75DY-34A
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地 址:福建省泉州市安溪金龍現(xiàn)代廣場A懂2206室
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