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NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET

NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET

NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET

描述

NP1216DR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供出色的RDS（ON）

一般特征

、低柵極電荷和

柵極電壓低至1.8V時(shí)運(yùn)行。這

該裝置適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

應(yīng)用。? VDS=-12V，ID

R=-16A

DS（ON）（典型值）=18米? @VGS

R=-2.5V

DS（開）（典型值）=13m? @VGS

? 高功率和電流處理能力

=-4.5V

? 獲得無(wú)鉛產(chǎn)品

? 表面貼裝封裝

應(yīng)用

? PWM應(yīng)用

? 負(fù)荷開關(guān)

包裹

? DFN2*2-6L-B

NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET