英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HL3
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HL3
產(chǎn)品詳細(xì)信息
Infineon FZ1000R33HL3 單開(kāi)關(guān) IGBT 模塊配有 TRENCHSTOP ? IGBT3和發(fā)射器控制的 3 二極管。此模塊具有高功率密度和 AlSiC 基板，用于提高熱循環(huán)能力。
VCES 為 3300 V
IC 標(biāo)稱(chēng)值為 1500 A
ICRM 為 3000 A
它可保持高電流密度
產(chǎn)品特征描述：
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
IGBT
IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對(duì)比
MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
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優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。
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特點(diǎn)：
擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。
IGBT的典型應(yīng)用
電動(dòng)機(jī)
不間斷電源
太陽(yáng)能面板安裝
電焊機(jī)
電源轉(zhuǎn)換器與反相器
電感充電器
電磁爐
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售西門(mén)子SIEMENS
6SL3912、6SL3983、6SB2071、6SL3955、6SL3995、避雷器、互感器、電容、晶閘管、IGBT、驅(qū)動(dòng)板
中壓變頻備件器、電源、操作面板、隔離開(kāi)關(guān)、風(fēng)機(jī)及其他系列;GH180羅賓康A(chǔ)1A/ASE(（電路板、控制板、模塊)、LDZ(功率單元、模塊、互感器）等
變頻器等備件 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
產(chǎn)品備件;
6SE70變頻器:6SE70驅(qū)動(dòng)/功率/接口板、6SY7000電容、6SY7010晶閘管
SIEMENS 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
M440/M430變頻器及備件;
低壓傳動(dòng)
S120變頻器:IGD A5E控制板﹔6RA直流調(diào)速器:6RA80、6RX、6RY17/18等備件。
工業(yè)通訊及 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
A5EO8混合電纜;LDS備件A5E002/003等系列;
分析儀 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
電源產(chǎn)品
6EP19、6EP13、A5E30947477、A5E31006890、6EP1536-3AA00等系列;
低壓電器
3TC4、3TH4、3RA6、3UG4、3RP2、3RS1、3RN2、3RQ、3RB等系列;
6BK、6DD、6DL、6DP及西門(mén)子各類(lèi)系統(tǒng)軟件等備件;
其他類(lèi)
ABB變頻器配件 晶閘管可控硅 傳感器 電容 IGBT IGCT 流互感器（ES2000、ESM2000)、
3300V IGBT模塊型號(hào)：
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
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IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
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