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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門(mén)康賽米控IGBT模塊
2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門(mén)康賽米控IGBT模塊
產(chǎn)品價(jià)格:¥49999
上架日期:2024-05-16 11:12:08
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    2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門(mén)康賽米控IGBT模塊

    金風(fēng) 華銳 聯(lián)合動(dòng)力 國(guó)電 遠(yuǎn)景 龍?jiān)?韻達(dá) 西門(mén)子歌美颯 維斯塔斯風(fēng)電變頻器IGBT模塊  電容 二極管 可控硅

    北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售供應(yīng)2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門(mén)康賽米控IGBT模塊

    SKIIP2414GB17E4-4DUK1171
    SKIIP2414GB17E4-4DUK310


    2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273是一款風(fēng)電 光伏新能源 逆變器 變頻器智能IGBT模塊

    SkiiP® 4 IGBT模塊的設(shè)計(jì)和性能。新型IGBT模塊中采用無(wú)基板的直接銅鍵合 (DBC) 概念,配備高性能冷卻器(散熱片)。這樣一來(lái),由四個(gè)半橋組成的功率模塊SKiiP2414GB17E4-4DUHP的電流開(kāi)斷能力提高了25%,能在1700 V的電壓條件下輕松開(kāi)斷IGBT上明顯高于2400 A的電流

    SKiiP 2414 GB17E4-4DUW V2

    2XSKIIP1013GB172-2DFK0108
    SKIIP1013GB172-2D

    SKiiP2414GB17E4-4DUK310

    SKiiP模塊產(chǎn)品特點(diǎn) 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門(mén)康賽米控IGBT模塊
    4合1:功率IPM  驅(qū)動(dòng)器、功率半導(dǎo)體、高精度電流傳感器和高性能冷卻風(fēng)冷或水冷(HPC)
    完全組裝和老化測(cè)試
    高功率密度
    采用了燒結(jié)技術(shù),功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKiiP 4)
    性能比傳統(tǒng)水冷卻器高25%。用于SKiiP 4的高性能冷卻(HPC),單側(cè)和雙側(cè)安裝在HPC水冷器上
    來(lái)自賽米控高度集成的IPM-IGBT模塊--北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
    SKiiP(SEMIKRON智能功率模塊)將IGBT模塊,驅(qū)動(dòng)和散熱集于一身。生產(chǎn)結(jié)束后的全性能測(cè)試(包括一個(gè)小時(shí)的老化測(cè)試)確保了應(yīng)用的高可靠性。 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門(mén)康賽米控IGBT模塊
    SKiiP IPM 1200V和1700V產(chǎn)品系列為高性能和高可靠的逆變器設(shè)計(jì)樹(shù)立了基準(zhǔn)。 SKiiP 3和SKiiP 4均具有高功率密度,并結(jié)合了靈活的散熱選項(xiàng)(風(fēng)冷或水冷)以及定制的散熱器。集成了電流傳感器和全功能保護(hù)的可靠驅(qū)動(dòng)技術(shù)完善了IPM的設(shè)計(jì)。
    SKiiP 3在工業(yè)傳動(dòng)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。憑借其全橋或半橋拓?fù)?,它涵蓋了從500A到2400A的電流范圍。
    SKiiP 4具有半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并根據(jù) 功率循環(huán)要求進(jìn)行了優(yōu)化,涵蓋了高達(dá)3600A的電流范圍。
    SKiiP模塊 的關(guān)鍵特性
    集成驅(qū)動(dòng)、功率模塊和散熱器
    集成溫度測(cè)量
    集成精準(zhǔn)的電流傳感器
    集成直流母線(xiàn)監(jiān)測(cè)
    SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線(xiàn)
    免焊接的燒結(jié)技術(shù)SKiiP 4
    SKiiP IGBT模塊 的優(yōu)勢(shì) 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司


    得益于銀燒結(jié)和高性能冷卻器技術(shù),SKiiP提高了對(duì)苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比,燒結(jié)技術(shù)延長(zhǎng)了工作壽命,提高了對(duì)主動(dòng)和被動(dòng)熱循環(huán)的彈性。
    SKiiP 4數(shù)字驅(qū)動(dòng)器降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜性也減少了昂貴元件的使用,它保證了開(kāi)關(guān)信號(hào)和參數(shù)測(cè)量的安全隔離。除了高可靠性設(shè)計(jì),SKiiP 4驅(qū)動(dòng)器還包括CAN-bus功能。
    SKiiP IPM產(chǎn)品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設(shè)計(jì)樹(shù)立了一個(gè)基準(zhǔn)。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度,結(jié)合靈活的冷卻選項(xiàng),如風(fēng)冷和水冷卻或定制的散熱器??煽康尿?qū)動(dòng)技術(shù)、集成的電流傳感器和全面的保護(hù)功能完善了IPM的設(shè)計(jì)。北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門(mén)康賽米控IGBT模塊
    SKiiP 3在工業(yè)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域得到了廣泛的推廣。憑借其三相全橋和半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它涵蓋的電流范圍從500A到2400A。
    SKiiP 4采用半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它已針對(duì) 功率循環(huán)要求進(jìn)行了優(yōu)化,涵蓋了高達(dá)3600A的更高功率范圍。它是市場(chǎng)上智能電源模塊

    SKIIP1013GB172-2DL V3
    SKIIP1203GB172-2DW V3
    SKIIP1513GB172-3DL V3
    SKiiP1513GB172-3DK0244
    SKIIP1513GB172-3DK0215
    SKIIP1513GB172-3DFK0351

    SKiiP1803GB172-3DW V3

    SKIIP1803GB172-3DK0398
    SKiiP1803GB123-3DUK0299
    SKiiP1803GB172-3DFK0368
    SKiiP1813GB123-3DUK1080
    SKiiP1813GB123-3DUK0382
    SKiiP2403GB123-4DUK0381
    SKiiP2413GB123-4DUK1070
    SKiiP2403GB123-4DUK0262
    SKIIP1814GB17E4-3DL
    SKIIP1814GB17E4-3DW
    SKIIP2414GB17E4-4DL
    SKIIP2414GB17E4-4DW
    SKIIP3614GB17E4-6DL
    SKIIP3614GB17E4-6DW
    SKiiP1814GB12E4-3DUW

    IGBT  北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售供應(yīng)2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門(mén)康賽米控IGBT模塊


    IGBT是什么?
    IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
    北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售供應(yīng)2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門(mén)康賽米控IGBT模塊
    IGBT與MOSFET的對(duì)比
    MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
    優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
    缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。
    IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
    特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。
    IGBT的典型應(yīng)用
    電動(dòng)機(jī)
    不間斷電源
    太陽(yáng)能面板安裝
    電焊機(jī)
    電源轉(zhuǎn)換器與反相器
    電感充電器
    電磁爐
    北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售供應(yīng)2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門(mén)康賽米控IGBT模塊

    SKiiP1213GB123-2DW V3
    SKiiP1813GB123-3DL V3
    SKiiP1813GB123-3DW V3
    SKiiP2413GB123-4DL V3
    SKiiP2413GB123-4DW V3
    SKIIP1013GB172-2DK0203
    SKiiP1814GB12E4-3DUL
    SKiiP1814GB12E4-3DUW
    SKiiP2414GB12E4-4DUL
    SKiiP2414GB12E4-4DUW
    SKiiP3614GB12E4-6DUL

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