IGBT驅(qū)動板DW.QD005-V12A6-F 1.2A電除塵器電源
北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)IGBT驅(qū)動板DW.QD005-V12A6-F 1.2A電除塵器電源
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DW.QD005-V12A6/9-F
DW.MK006-V12A6-F
DW.QD005-V12A6-F 1.2A
DW.MK006-V12A6-I 1.2A
MKPg0.48-25-3
MKPg0.44-30-3
MKPG0.48-36-3
1 IGBT 門極驅(qū)動要求
1.1 柵極驅(qū)動電壓
因 IGBT 柵極 - 發(fā)射極阻抗大,故可使用 MOSFET 驅(qū)動技術(shù)進行驅(qū)動,但 IGBT 的輸入電容較 MOSFET 大,所以 IGBT 的驅(qū)動偏壓應(yīng)比 MOSFET 驅(qū)動所需偏壓強。圖 1 是一個典型的例子。在 +20 ℃情況下,實測 60 A , 1200 V 以下的 IGBT 開通電壓閥值為 5 ~ 6 V ,在實際使用時,為獲得最小導(dǎo)通壓降,應(yīng)選取 Ugc ≥ (1.5 ~ 3)Uge(th) ,當 Uge 增加時,導(dǎo)通時集射電壓 Uce 將減小,開通損耗隨之減小,但在負載短路過程中 Uge 增加,集電極電流 Ic 也將隨之增加,使得 IGBT 能承受短路損壞的脈寬變窄,因此 Ugc 的選擇不應(yīng)太大,這足以使 IGBT 完全飽和,同時也限制了短路電流及其所帶來的應(yīng)力 ( 在具有短路工作過程的設(shè)備中,如在電機中使用 IGBT 時, +Uge 在滿足要求的情況下盡量選取最小值,以提高其耐短路能力 ) 。
1.2 對電源的要求
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對于全橋或半橋電路來說,上下管的驅(qū)動電源要相互隔離,由于 IGBT 是電壓控制器件,所需要的驅(qū)動功率很小,主要是對其內(nèi)部幾百至幾千皮法的輸入電容的充放電,要求能提供較大的瞬時電流,要使 IGBT 迅速關(guān)斷,應(yīng)盡量減小電源的內(nèi)阻,并且為防止 IGBT 關(guān)斷時產(chǎn)生的 du/dt 誤使 IGBT 導(dǎo)通,應(yīng)加上一個 -5 V 的關(guān)柵電壓,以確保其完全可靠的關(guān)斷 ( 過大的反向電壓會造成 IGBT 柵射反向擊穿,一般為 -2 ~ 10 V 之間 ) 。
1.3 對驅(qū)動波形的要求
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從減小損耗角度講,門極驅(qū)動電壓脈沖的上升沿和下降沿要盡量陡峭,前沿很陡的門極電壓使 IGBT 快速開通,達到飽和的時間很短,因此可以降低開通損耗,同理,在 IGBT 關(guān)斷時,陡峭的下降沿可以縮短關(guān)斷時間,從而減小了關(guān)斷損耗,發(fā)熱量降低。但在實際使用中,過快的開通和關(guān)斷在大電感負載情況下反而是不利的。因為在這種情況下, IGBT 過快的開通與關(guān)斷將在電路中產(chǎn)生頻率很高、幅值很大、脈寬很窄的尖峰電壓 Ldi/dt ,并且這種尖峰很難被吸收掉。此電壓有可能會造成 IGBT 或其他元器件被過壓擊穿而損壞。所以在選擇驅(qū)動波形的上升和下降速度時,應(yīng)根據(jù)電路中元件的耐壓能力及 du/dt 吸收電路性能綜合考慮。
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